At kosmisk stråling kan ødelegge elektronikk er velkjent, Quebecs elektrisistetsforsyning ble slått ut av en solstorm i 1989 for eksempel. Men om en ødeleggende kosmisk event treffer jorda er det nok
verre ting å bekymre seg for en dårligere lyd i anlegget. Elektronikk for bruk i verdensrommet er langt mer utsatt for kosmisk stråling enn under beskyttelse av jordens atmosfære og må designes deretter, i tillegg til at det er utsatt for ekstreme temperaturer. Så det er en industrispesifikk ISO-sertifisering for utvikling av utstyr brukt i aerospace kalt
AS9000. Kretser for aerospace må kvalifiseres strengere enn vanlig consumerelektronikk, i likhet med kretser for
medisinsk bruk, militært bruk og automotive hvor det også er industrispesifikke utvidelser av ISO-standarden. Og det er det god grunn til, siden det er litt verre om pacemakeren slutter å virke enn stereoanlegget.
Kanalen mellom source og drain i en MOS-transistor er dopet silisium (substrat eller well), men om man kan erstatte den med en vakuumkavitet (som i en triode) og masseprodusere det så er det absolutt spennende. Hastigheten til en transistor er begrenset av parasittisk kapasitans mellom gate, source og drain, og siden vakuum har mye lavere permittivitet enn silisium vil naturlig nok transistoren bli langt raskere gitt samme dimensjoner. I følge
denne publikasjonen har de fremstilt transistorer med sub-50nm kanallengde mens state-of-the-art for vanlig CMOS i dag er rundt 10nm. Formodentlig vil den også være mer strålingsimmun fordi den ikke trenger et dopet substrat, og ha mindre lekkasjestrøm. Men dette er jo grunnforskning, så det er vanskelig å vite hvor vanskelig og kostbart det er å produsere i integrerte kretser.
