Litografi i moderne kretser bruker DUV (Deep UV) med EUV (Extreme UV) på vei. Siden bølgelengden er så kort er det ekstreme krav til overflaterenhet på det deponerte materialet, atomic layer deposition kalles teknikken som brukes for å lage homogene nok lag. Det dielektriske SiO2-laget mellom gate og kanal i en 10-14 nm prosess er omtrent 0.5nm eller 2-3 atomer tykt. Det er mange utfordringer med skalering av prosessteknologi. Fra et produksjonsståsted at kravet til nøyaktighet gjør det enormt dyrt å fabrikere kretser. Intel har nylig investert $7bn i en 7nm-fab. 14nm er i masseproduksjon, men det koster haugevis av millioner for tapeout av en chip så produksjonsvolumet må være enormt for å forsvare investeringen. Fra et designståsted er lekkasjestrøm (pga kvantetunnelering) en stor utfordring, samt strøkapasitanser siden dielektrikumet er så tynt. I tillegg er forsyningsspenningen svært lav (Intels 14nm FinFET har 0.7V supply IIRC, vet ikke for 10nm).
En normal mikrokontroller/mikroprosessor inneholder masse analog elektronikk; spenningsreferanser, spenningsovervåking, båndgapskretser, brown-out-detector, oscillatorer, PLLer, forsterkere/bufre, IO-drivere, datakonvertere etc. Siden lav forsyningsspenning er en dødare for SNR i analoge kretser er det normalt at disse realiseres i en annen geometri enn den digitale delen av chipen, på et annet spenningsdomene og med level shiftere mellom analogt og digitalt. Hvilken geometri som brukes for analogt i en 14nm eller 10nm chip vet jeg ikke (det er stort sett kun Intel, Samsung, Qualcomm og en håndfull til som har budsjetter til å fabrikere kretser i sånne geometrier), men for oss "vanlige dødelige" er digitalt gjerne realisert i 65nm-130nm (1.2V) og analogt i 0.35µm-0.5µm (3.3V el 5V). Geometrien bestemmes i stor grad av hvor mye minne brikken trenger samt forventet produksjonsvolum. En stor andel av transistorene er minne og større geometri betyr mer areal (og strøm) og dermed høyere kost per enhet, men den initielle investeringen i design, testchiper/prototyping, sette i gang masseproduksjon osv er lavere jo eldre og mer moden teknologien er.
At silisium kommer til å møte veggen snart er en kjensgjerning, men kvantedatamaskiner og denslags er nok fortsatt mest science fiction. Om man ser 10-20 år frem i tid later kanskje grafén til å være den mest lovende erstatteren, eller CNTFET (carbon nanotube).
Intel pursues Moore's Law with plan to make first 7-nm chips this year | PCWorld