sikkert
http://www.atceramics.com/Userfiles/dielectric_aging.pdf
og her
http://www.knowlescapacitors.com/Fi...n/Technical Info/Application Notes/an0006.pdf
Men som sagt tror jeg der sker flere forskellige ting i forbindelser med en indbrændings periode , hvoraf mange af dem sikkert nogenlunde vil følge de samme forløb som er angivet i link'ene
Jeg forstiller mig at indbrænding bl.a skyldes ændringer i i dialektrikum som sikkert har et forløb som beskrevet her:Transistorer i flashminne har en flytende gate som ladning pumpes inn i gjennom oksidet (tunnel injection). Programmeringsspenningen må derfor være høyere enn oksidets breakdown-spenning og programmering medfører skader i oksidet. Til slutt vil transistoren slutte å virke (en typisk flash vil tåle ~100k programmeringssykluser). Dette har lite å gjøre med operasjonsforholdene til en vanlig transistor, som hverken har flytende noder eller påtrykkes spenninger høyere enn oksidets breakdown-spenning (med mindre kretsen er feilkonstruert). For en kabel blir parallellen enda fjernere; vanlig polyetylen (plast) har en dielektrisk styrke på ca 20MV/m, så om isolasjonen er 1mm tykk er breakdown-spenningen 20kV eller 20.000V. Så hvis man skal få noe som ligner på tunnel injection av ladning i en isolert kabel må man opp på flere titalls kilovolt. Man opererer svært sjelden med slike spenninger i et stereoanlegg.Halvledere kan endre seg ved innbrenning. Et eksempel er skriving og sletting av Flash-minne. Denne rapporten beskriver en undersøkelse av hvordan latency for read, program, og erase endrer seg med gjentatte write/erase-sykluser.
Program and erase operations are done by Fowler-Nordheim tunneling, which utilizes high voltages to move charge on and off the floating gate, which is destructive to the gate oxide. Endurance cycling is meant to accelerate this failure mechanism. As the device consumes cycles, and defects are introduced to the gate oxide, it is expected that erasing and programming times would change. With cycling, bulk and interface traps are introduced in the gate oxide, which increases the threshold voltage of the cell
Cgd/Cgs i en mosfet vil ikke endre seg nevneverdig over tid og er ikke en vesentlig kilde til wear-out eller endring av oppførsel i en IC. De er spenningsavhengige, men det er en annen sak (og en designvariabel). Burn-in er forsåvidt et normalt begrep innen IC-produksjon, men det har ingenting å gjøre med begrepet slik det brukes av haifai-alkymister. Sannsynligheten for funksjonssvikt i en IC er typisk karakterisert av en såkalt "badekarkurve" (eller kvantitativt med en Weibull-distribusjon), hvor det er en høyere feilrate helt i starten av dens levetid (infant mortality; som stort sett skyldes defekter/urenheter i produksjon eller at designet ikke har tatt tilstrekkelig høyde for latch-up), før den avtar og så tiltar igjen etter mange år (wear-out, at materialet slites ut av elektrisk/termisk stress, korrosjon etc). Burn-in brukes for å luke ut kretsene som har defekter som medfører infant moratlity før de sendes ut på markedet, slik at kretsene som faktisk selges har høyest mulig sannsynlighet for å fungere. Innen IC-produksjon opererer vi typisk med akseptable feilrater på noen ppm for kretser som selges, og burn-in kan være nødvendig for å nå dette. Men burn-in øker naturligvis også produksjonskostnaden og bør fra et kostnadsperspektiv være så kort som mulig.En effekttransistor eller integrert krets vil ha parasittiske kapasitanser mellom Gate og Source/Drain. Dette påvirker hvor kjapp kretsen er. Hvis denne kapasitansen endres vil karakteristikken til forsterkeren endres. Endringen vil selvfølgelig være svært liten. (hehe)
Her er et legmannsnotat om feilmekanismer i integrerte kretser: http://www.analog.com/static/imported-files/tech_articles/168932147Analog_June_PL.pdf
http://www.atceramics.com/Userfiles/dielectric_aging.pdf
og her
http://www.knowlescapacitors.com/Fi...n/Technical Info/Application Notes/an0006.pdf
Men som sagt tror jeg der sker flere forskellige ting i forbindelser med en indbrændings periode , hvoraf mange af dem sikkert nogenlunde vil følge de samme forløb som er angivet i link'ene