Her er jeg for en gangs skyld også litt uenig med Armand. GaN er raskere enn en MOSFET, men det man må spørre seg er hvordan dette egentlig påvirker selve kretsen.
Det er spesielt to ting som er interessant å se på. Den ene er hva som skal til for å drive gate på den aktuelle transistoren. Den andre er hvordan switchehastighet og timing ser ut på effektsiden av transistoren.
Dette med å drive gate handler i stor grad om hvilken teknologi man eventuelt må utvikle. Vi kan regne dette som løsbart, så det kan vi se bort fra så lenge.
Men på effektsiden har vi et par ting som vi ikke uten videre kommer rundt. Man kan se for seg at man utnytter GaN sin høye slew-rate til å øke switchehastigheten, og det er fullt mulig å gjøre. Men, som Armand er inne på, det er en link mellom switchehastighet og forvrengning, og den ligger i dødtiden. En GaN er ikke spesielt mye smartere pakket inn enn en FET, og det er i selve innpakningen begrensningen ligger. Vi kan godt si at transistorbena er selve problemet. Disse kan sees på som spoler, og det hjelper ikke hvor rask vi får selve halvlederen til å reagere, men hvor mye dødtid vi må legge inn for at strømmene i transistorbena skal falle til ro.
Så, la oss gå tilbake til gate et øyeblikk. På en FET er gate som en kondensator. Straks vil legger en spenning på den vil det begynne å gå strøm, inntil denne kondensatoren er fullt oppladet. Større FET-er har typisk større "kondensator". Om FET-en klarer høyere spenninger (som vi trenger i forsterkere med høyere effekt) vil denne kondensatoren også være større. Selve oppladingen og utladingen er en treg prosess som i stor grad avhenger av kapasiteten til gate-driveren, og det er den vi ser på flankene i diagrammet ditt
@MrGolden. Vi ser altså ikke direkte transistorens egenskaper, men vi ser den som konsekvens av en gitt driver med en gitt kapasitet.
Da blir spørsmålet om vi egentlig bør forsøke å få dette til med GaN, eller om vi like gjerne kan tweake litt på gate-driverne, og at med de tilgjengelige innkapslingene vi har så er det uansett ikke på switchefrekvens vi har masse å hente.
Og for ordens skyld: transistorer lages av silisium, ikke silikon. På engelsk er forskjellen silicon vs silicone, og det er altså to materialer som har fint lite med hverandre å gjøre.